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可伸縮的SiC MOSFET驅(qū)動程序加速客戶設(shè)計
Microsemi和模擬設(shè)備宣布了一種可伸縮的碳化硅驅(qū)動器參考設(shè)計方案，該方案基于一系列Microsemi SiC MOSFET產(chǎn)品和模擬設(shè)備的ADuM4135 5KV隔離柵極驅(qū)動器。
雙SiC MOSFET驅(qū)動程序參考設(shè)計提供了用戶友好的設(shè)計指南，使使用Microsemi SiC MOSFETs的客戶能夠更快地進入市場，并支持過渡到Microsemi的下一代SiC MOSFETs。
新的參考設(shè)計為客戶提供了一個高度隔離的SiC MOSFET雙柵驅(qū)動開關(guān)，為評估SiC MOSFETs在許多拓撲中的性能提供了一種手段。這包括對具有同步死時間保護的半橋切換和無保護的異步信號傳輸進行優(yōu)化的模式。它還可以配置為提供并發(fā)驅(qū)動器，要求研究無鉗位感應(yīng)開關(guān)(UIS)或雙脈沖測試。該參考設(shè)計是為微半SiC MOSFET離散器件和模塊開發(fā)的，并作為一個工程工具評估其SiC器件的組合。該板支持修改柵極電阻值，以適應(yīng)大多數(shù)微半導(dǎo)體元件和模塊。
Microsemi的戰(zhàn)略營銷經(jīng)理Jason Chiang說:“雙SiC MOSFET驅(qū)動程序參考設(shè)計不僅能讓Microsemi客戶加速他們的產(chǎn)品開發(fā)工作，還能適應(yīng)我們下一代SiC MOSFET的推出，以確保最終用戶平穩(wěn)過渡。”“在電力電子設(shè)計方面采取全局性觀點的客戶可以利用我們新的SiC驅(qū)動程序解決方案來為他們的設(shè)計選擇最佳的驅(qū)動程序和組件，并能夠根據(jù)他們特定的SiC MOSFET需求進行擴展。”
雙重SiC MOSFET驅(qū)動程序參考設(shè)計非常適合廣泛的終端市場和應(yīng)用程序,包括航空航天(驅(qū)動、空調(diào)、配電)、汽車(混合動力/電動車輛動力系統(tǒng)、電動汽車電池充電器、DC-to-DC轉(zhuǎn)換器,和能量回收),國防(電源和大功率電動機驅(qū)動)、工業(yè)(光伏逆變器、電機驅(qū)動器、焊接、不間斷電源、開關(guān)電源、感應(yīng)加熱和石油鉆井)和醫(yī)療(MRI和x光電源)。
作為加速生態(tài)系統(tǒng)的一部分，模擬設(shè)備與Microsemi合作，旨在為終端客戶縮短市場時間，為生態(tài)系統(tǒng)參與者縮短收入時間。Microsemi的加速生態(tài)系統(tǒng)匯集了硅、知識產(chǎn)權(quán)、系統(tǒng)、軟件和設(shè)計專家，為最終客戶提供經(jīng)過驗證的董事會和系統(tǒng)級解決方案。
SiC產(chǎn)品提供了許多優(yōu)勢，包括提高系統(tǒng)效率，在相同的物理尺寸下提高25- 50%的功率輸出，在絕緣柵比皮拉晶體管(IGBTs)上提高開關(guān)頻率的效率，降低系統(tǒng)尺寸和重量，在溫度(+175攝氏度)下運行穩(wěn)定性和顯著的冷卻成本節(jié)約。
市場研究公司Yole development ement預(yù)計，SiC電力市場在2021年將超過5.5億美元，2015-2021年復(fù)合年增長率(CAGR)為19%。該公司還描述了SiC的好處如何影響新產(chǎn)品和SiC技術(shù)的發(fā)展。Microsemi很好地適應(yīng)了這些趨勢，其SiC MOSFETs比傳統(tǒng)的硅功率MOSFETs提供了優(yōu)越的動態(tài)和熱性能。在Microsemi公司的MSCSICMDD/REF1 SiC MOSFET驅(qū)動程序參考設(shè)計中加入模擬設(shè)備ADuM4135隔離SiC驅(qū)動程序解決方案，進一步增強了公司滿足客戶產(chǎn)品開發(fā)需求的能力。
模擬設(shè)備的隔離柵極驅(qū)動具有DESAT和許多其他保護特性，提供了強大的柵極驅(qū)動能力(6A)，并具有魯棒的電氣隔離，這對于高電壓功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的長壽命和安全運行至關(guān)重要。與使用光電耦合器或脈沖變壓器的設(shè)計相比，該公司的隔離柵驅(qū)動程序組合提供了設(shè)計人員的性能和可靠性優(yōu)勢。利用模擬設(shè)備的經(jīng)過驗證的iCoupler技術(shù)，隔離柵驅(qū)動器系列在寬頻帶隙設(shè)備，特別是SiC MOSFETS的高電壓和高開關(guān)速度應(yīng)用中提供了許多關(guān)鍵的好處。其中包括優(yōu)于50 ns的優(yōu)越傳播延遲，小于5ns的通道對通道匹配，比>100KV/us的普通模式瞬態(tài)免疫(CMTI)，以及在單個包中支持高達1500V DC的壽命工作電壓的能力。
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