|
低電壓64兆位串行四軸I/O超閃光。
微芯片已經(jīng)宣布了一種新的1.8V系列四分儀I/O超快閃記憶裝置。SST26WF064C是一種低電壓的64兆電子設(shè)備，它結(jié)合了雙傳輸速率(DTR)和專有的超閃存和閃存技術(shù)，使其成為無線和電池供電的應(yīng)用程序的理想選擇。
DTR為客戶提供了在時鐘的兩端輸出數(shù)據(jù)的能力，從而降低了總體數(shù)據(jù)訪問時間和功耗。SuperFlash技術(shù)也通過提供最快的擦除時間來降低功耗。SST26WF064C的典型芯片擦除時間在35到50毫秒之間，而競爭的閃存設(shè)備需要30秒才能消除。
SST26WF064C還集成了一個硬件控制的復(fù)位功能，使強大的設(shè)備復(fù)位。市場上的大多數(shù)串行閃存設(shè)備不支持硬件復(fù)位功能，因為在包上有pin-count限制。有了這個微芯片設(shè)備，客戶可以選擇重新配置這個復(fù)位功能的HOLD# pin。
在頻率達(dá)到104 MHz的頻率下，該設(shè)備可以實現(xiàn)最小延遲執(zhí)行(XIP)功能，而不需要對靜態(tài)隨機訪問存儲器(SRAM)進(jìn)行編碼。這個新設(shè)備使用一個4位多路復(fù)用I/O串行接口來提高性能，同時保持標(biāo)準(zhǔn)的串行閃存設(shè)備的緊湊形式因子。SST26WF064C也支持完整的命令集兼容性與傳統(tǒng)的串行外圍接口(SPI)協(xié)議。
微芯片的高性能超閃存技術(shù)也意味著該設(shè)備是基于一個專有的分裂門閃存單元，提供額外的能力，如高耐力循環(huán)的高達(dá)100,000擦除/寫周期，數(shù)據(jù)保留超過100年和最快的擦除時間。
開發(fā)人員可以使用Verilog和IBIS模型以及設(shè)備驅(qū)動程序開始設(shè)計SST26WF064C閃存。
SST26WF064C提供多種包裝選項，包括8個接觸式WDFN(6毫米x5毫米)、8-鉛SOIJ (5.28 mm)、16鉛SOIC (7.50 mm)和24球TBGA(8毫米x6毫米)。
耳機插座http://www.orunapp.cn |
當(dāng)前位置: