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身體快速二極管n溝道m(xù)osfet提高可靠性
威世根本引入了三個(gè)設(shè)備在其新的600 V EF系列快速體二極管n溝道m(xù)osfet力量。
反向恢復(fù)電荷和較低的導(dǎo)通電阻,威世Siliconix SiHx21N60EF,SiHx47N60EF,SiHx70N60EF增加可靠性和節(jié)省能源工業(yè)、電信、計(jì)算、和可再生能源的應(yīng)用。
基于第二代superjunction技術(shù),600 V快速體二極管mosfet補(bǔ)充威世的現(xiàn)有標(biāo)準(zhǔn)E系列組件和擴(kuò)大公司的提供的設(shè)備,可用于零電壓開關(guān)(零電壓)/軟開關(guān)拓?fù)湎嘁频葮蛄汉蚅LC轉(zhuǎn)換器一半橋梁。
SiHx21N60EF SiHx47N60EF,SiHx70N60EF增加可靠性在這些應(yīng)用程序提供了一個(gè)反向恢復(fù)電荷(Qrr)10倍低于標(biāo)準(zhǔn)的mosfet。這允許設(shè)備恢復(fù)塊完整的擊穿電壓的能力更快,有助于避免失敗從射穿和熱負(fù)荷。
21 SiHx21N60EF提供四個(gè)包,而47 SiHx47N60EF和70年SiHx70N60EF都有兩個(gè)。176 mΩ設(shè)備功能極低的導(dǎo)通電阻,65 mΩ,和38 mΩ、分別和低門。這些值轉(zhuǎn)化為極低的傳導(dǎo)和節(jié)約能源在大功率開關(guān)損失,高性能開關(guān)模式應(yīng)用,包括太陽能逆變器、服務(wù)器和電信電力系統(tǒng),ATX /銀盒子PC smp,焊接設(shè)備、UPS、電池充電器、資本和半導(dǎo)體設(shè)備。
設(shè)備被設(shè)計(jì)成能抵抗高能脈沖雪崩和變換模式,保證通過100%的ui測(cè)試的限制。場(chǎng)效應(yīng)管是通過無鉛認(rèn)證和無鹵。
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