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威世公布第一150 V n溝道MOSFET PowerPAK
威世根本已經(jīng)制造出了最早的150 V n溝道MOSFET的緊湊、熱增強(qiáng)PowerPAK sc - 70包。
提供該行業(yè)的最低on-resistance 10 V 2毫米的2毫米足跡,威世的Siliconix SiA446DJ旨在提高效率減少傳導(dǎo)和切換損失在一個(gè)廣泛的空間受限的應(yīng)用程序。
primary-side切換的SiA446DJ優(yōu)化隔離直流/直流轉(zhuǎn)換器,提高轉(zhuǎn)換器的LED背光,和同步整流和負(fù)載開(kāi)關(guān)電源管理應(yīng)用程序的權(quán)力在以太網(wǎng)(坡)PD開(kāi)關(guān)、DC / DC電信磚,和便攜式電子設(shè)備。
對(duì)于這些應(yīng)用,PowerPAK sc - 70是55%小于3毫米2.8毫米TSOP-6包,同時(shí)提供熱阻低40%。
建立在ThunderFET技術(shù),最大177 mΩon-resistance SiA446DJ提供低10 V,185 mΩ7.5 V,和250年mΩ6 V . 10 V,設(shè)備的on-resistance 53%低于一代設(shè)備TSOP-6包中,而其典型on-resistance次閘極電荷靈敏值10 V是提高效率低54%。
此外,SiA446DJ提供on-resistance低于26%的最新競(jìng)爭(zhēng)設(shè)備3毫米,2.7毫米SOT-23包。
擴(kuò)展威世中壓mosfet的組合緊湊、熱增強(qiáng)包,SiA446DJ加入之前公布的100 V SiA416DJ PowerPAK sc - 70和100 V SiB456DK PowerPAK sc - 75。設(shè)備是RoHS-compliant,RG - UIS-tested無(wú)鹵和100%。
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