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威世第一次與600 v mosfet
威世根本引入了前兩個設備在其新600 V EF系列快速體二極管n溝道m(xù)osfet力量。
反向恢復電荷和較低的導通電阻,威世Siliconix SiHx28N60EF SiHx33N60EF增加可靠性和節(jié)省能源工業(yè)、電信、計算、和可再生能源的應用。
基于第二代超級結技術,今天發(fā)布的600 V快速體二極管場效電晶體提供了一個補充威世的現(xiàn)有標準E系列組件,擴大公司的提供的設備可以用在零電壓開關(零電壓)/軟開關拓撲相移等橋梁和LLC轉換器一半的橋梁。
SiHx28N60EF和SiHx33N60EF增加可靠性在這些應用程序提供了一個反向恢復電荷(Qrr)10倍低于標準的mosfet。這允許設備恢復塊完整的擊穿電壓的能力更快,有助于避免失敗從射穿和熱負荷。此外,減少Qrr導致較低的反向恢復的損失相比,標準的mosfet。
提供四個包,28 SiHx28N60EF SiHx33N60EF功能極低的導通電阻和33 123Ω和98Ω,分別和低門。這些值轉化為極低的傳導和節(jié)約能源在大功率開關損失,高性能開關模式應用,包括太陽能逆變器、服務器和電信電力系統(tǒng),ATX /銀盒子PC smp,焊接設備、UPS、電池充電器、半導體資本設備,領導和HID照明。
設備被設計成能抵抗高能脈沖雪崩和變換模式,保證通過100%的ui測試的限制。場效應管是通過無鉛認證和無鹵。 |
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