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氮化鎵將成為核心技術(shù)
甘渥太華基于氮化鎵的開發(fā)人員,系統(tǒng)說氮化鎵急劇起飛,將成為核心技術(shù)在電力電子在未來三年內(nèi)。
成立僅七年前,GaN系統(tǒng)已經(jīng)開發(fā)出了大范圍的氮化鎵,基于其獨特的島技術(shù)的大功率晶體管設(shè)計。甘這些新設(shè)備提供了顯著的優(yōu)勢,超過傳統(tǒng)的硅mosfet和igbt,迎來更小、更輕、更高效的電力電子在許多工業(yè)、消費者和汽車應用,如datacentre電源、筆記本旅行適配器,空調(diào)汽車和電動汽車電池充電器和牽引電子產(chǎn)品。
該公司現(xiàn)在有一個大范圍的設(shè)備基于公司的核心知識產(chǎn)權(quán),島的技術(shù)。這些電源轉(zhuǎn)換裝置將寬禁帶半導體和優(yōu)越的切換速度,溫度,電壓和電流的氮化鎵成獨特的結(jié)構(gòu)的性能最大化晶片產(chǎn)量和生產(chǎn)高效晶體管小4倍和以較低的成本比傳統(tǒng)設(shè)計方法。
島的快速切換和密集的載流能力技術(shù)設(shè)備由GaN進一步增強系統(tǒng)的緊湊,附近chipscale GaNPX包裝,沒有線債券,降低電感和熱阻,增加可靠性。甘第三科技創(chuàng)新的核心系統(tǒng)產(chǎn)品驅(qū)動幫助™,芯片上的驅(qū)動程序簡化電路設(shè)計,去除米勒駕駛問題和提高開關(guān)速度。
“世界各地的電力系統(tǒng)工程師同意,GaN晶體管的可用性可能是IGBT以來最重要的進步在1990年代成為可用。能夠減少功率損耗由50% - -90%或降低系統(tǒng)的尺寸和重量高達四分之一的原始大小會改變電力系統(tǒng)的設(shè)計和使用的方式。GaN系統(tǒng)行業(yè)領(lǐng)先的氮化鎵功率晶體管使這種轉(zhuǎn)變的開始。我們已經(jīng)給全球市場帶來了最廣泛的氮化鎵產(chǎn)品以獨特的技術(shù),使它輕易被整合到新一代電力電子。首席執(zhí)行官吉姆說Witham GaN系統(tǒng)。
Witham繼續(xù)說:“2014年以來最令人興奮的和重大的年份之一公司的《盜夢空間》。甘與愛探聽我們的全球分銷協(xié)議現(xiàn)在電子產(chǎn)品提供系統(tǒng)的產(chǎn)品直接進入電子設(shè)計工程師的手中,我們在全球范圍內(nèi)增加了我們的員工,并取得了顯著的任命在歐洲和亞洲副總裁級別,我們提出了技術(shù)論文或展出全球主要會議。今年早些時候,我們總部搬到新的擴展Kanata前提,渥太華的高科技區(qū),所以我們會增加我們的實驗室空間10倍,確保我們的研發(fā)中心整合了先進的自定義所需的設(shè)施和專用的電力和冷卻系統(tǒng)充分發(fā)掘高功率應用程序和加速新產(chǎn)品的開發(fā)和測試。” |
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