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MOSFET削減能源消耗在智能手機(jī)
一個新的功率MOSFET,有助于降低功耗,延長電池的使用智能手機(jī)、平板電腦、可穿戴設(shè)備和高端筆記本電腦是由威世今天公布的根本。
新chipscale微腳p溝道Si8457DB提供了業(yè)界最低的阻力在1.8 V任何MOSFET柵極驅(qū)動1.6毫米,1.6毫米的足跡,是唯一這樣的設(shè)備與vg =±8 V評級,它提供了一個額外的安全邊際的鋰離子電池驅(qū)動的應(yīng)用程序。
設(shè)計(jì)用于電池開關(guān)和負(fù)荷開關(guān)電源管理應(yīng)用程序,19 mΩSi8457DB特性導(dǎo)通電阻的-4.5 V,23.4 mΩ23.4 V,35 mΩ-1.8 V。
相比之下,下一個最好的設(shè)備DFN 1.6毫米平方包,評級為-1.8 V代表17%的改善。
設(shè)備的低導(dǎo)通電阻,評級降至-1.8 V,和±8 V vg提供安全裕度、柵極驅(qū)動設(shè)計(jì)的靈活性,對于大多數(shù)鋰離子電池驅(qū)動的應(yīng)用程序和高性能。
Si8457DB達(dá)到其產(chǎn)業(yè)界首次能力每地區(qū)由于其極低的導(dǎo)通電阻,使空間節(jié)省,同時還有助于降低電池功耗為移動應(yīng)用程序。設(shè)備的低導(dǎo)通電阻意味著一個非常低的電壓降在直流和脈沖峰值電流,因此減少電力浪費(fèi)熱量。
設(shè)備的導(dǎo)通電阻評級為-1.8 V簡化了滿足設(shè)計(jì)要求的任務(wù),如適應(yīng)低電池條件下或集成電路負(fù)載了gate-to-source電壓。
Si8457DB關(guān)鍵構(gòu)件在為移動電源管理一個有效的負(fù)荷開關(guān)。作為一個p溝道MOSFET的明顯的優(yōu)勢能夠打開,沒有要求的電荷泵電路設(shè)計(jì),它可以直接與大量的電源管理和控制器集成電路從不同的供應(yīng)商。
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