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山東DC插座Microsemi揭示非穿孔通過(guò)絕緣雙極柵晶體管
Microsemi已經(jīng)發(fā)布了其新一代的650伏特(V)非穿孔通過(guò)(NPT)絕緣柵雙極晶體管(IGBTs),提供一個(gè),70一個(gè),45 95當(dāng)前評(píng)級(jí)。
《不擴(kuò)散核武器條約》IGBT產(chǎn)品族是專為在惡劣環(huán)境下的操作,特別適合于工業(yè)產(chǎn)品,如太陽(yáng)能逆變器、焊工和開(kāi)關(guān)模式電源。
Microsemi的新電力設(shè)備提高效率將這個(gè)行業(yè)最大的損耗性能大約8%比最接近的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的IGBT。
《不擴(kuò)散核武器條約》IGBTs也使極高的開(kāi)關(guān)速度高達(dá)150千赫),這是進(jìn)一步提高當(dāng)晶體管是搭配Microsemi的碳化硅(SiC)隨心所欲的二極管。這些前沿650 v NPT IGBTs允許開(kāi)發(fā)者降低整體系統(tǒng)成本更昂貴的替代600 v到650 v mosfet為低速度應(yīng)用到150千赫。
所有的設(shè)備在下一代650 v系列產(chǎn)品是基于先進(jìn)的功率MOS 8 Microsemi技術(shù)和利用先進(jìn)的晶片稀釋過(guò)程。這使得顯著減少總開(kāi)關(guān)損耗和允許設(shè)備工作在令人難以置信的快速切換頻率相對(duì)于競(jìng)爭(zhēng)解決方案。
Microsemi預(yù)計(jì)將擴(kuò)大其市場(chǎng)份額的IGBT,從現(xiàn)在的36億美元增長(zhǎng)到60億年的2018美元,根據(jù)最近的一份報(bào)告從Yole發(fā)展。
《不擴(kuò)散核武器條約》IGBTs易于并行(正溫度系數(shù)的Vcesat)來(lái)提高可靠性高電流模塊。這些設(shè)備也短路承受時(shí)間額定(SCWT),提供在苛刻的工業(yè)環(huán)境下可靠運(yùn)行。
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