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撥碼開關(guān)IC Insights:超過(guò)四分之一的晶圓產(chǎn)能致力于< 40 nm制程
超過(guò)四分之一的安裝晶片能力在全球范圍內(nèi)致力于生產(chǎn)集成電路設(shè)備使用過(guò)程幾何圖形(或特征尺寸)小于40 nm,IC Insights的報(bào)道。
業(yè)務(wù)分析師還指出,一個(gè)驚人數(shù)量的能力仍然致力于成熟過(guò)程與“大”的特征尺寸,在其最新的報(bào)告中,全球晶圓產(chǎn)能2013 -一個(gè)詳細(xì)的分析和預(yù)測(cè)的IC產(chǎn)業(yè)的晶圓工廠產(chǎn)能。
裝機(jī)容量分為六類基于最小幾何的過(guò)程用于晶圓。
六個(gè)類別的范圍從< 40 nm;≥40 - < 60海里;≥60 nm - < 80海里;≥80 nm - < 0.2µ;≥0.2µ- < 0.4µ;≥0.4µ。
2012年底,全球約27%的晶圓產(chǎn)能是設(shè)備在幾何圖形小于40 nm。
這些設(shè)備包括高密度DRAM,通常建造使用30 nm - 20 nm類過(guò)程技術(shù);高密度閃存設(shè)備是基于20 nm - 10納米類流程;和高性能微處理器和先進(jìn)的ASIC / ASSP / FPGA設(shè)備基于32/28nm或22納米技術(shù)。
大約22%的全球能力致力于≥80 nm - < 0.2µ段,包括90海里,0.13,和0.18µµ過(guò)程代——“成熟”的過(guò)程,廣泛采用純代包括臺(tái)積電、聯(lián)電、GlobalFoundries,中芯國(guó)際,TowerJazz制造范圍廣泛的產(chǎn)品,他們的不同的客戶基地。
最常見(jiàn)的技術(shù),至少在術(shù)語(yǔ)的總裝機(jī)容量的份額,是幾何圖形之間的80 nm和60 nm(基本上65海里一代)和在0.4和0.2µµ(本質(zhì)上是0.25µ和0.35µ代)。
然而,值得注意的是,> 0.4µ類別保持一個(gè)相當(dāng)大的份額,總?cè)萘?即使它已經(jīng)超過(guò)15年0.5µ過(guò)程技術(shù)被認(rèn)為是領(lǐng)先的。
主要原因是大量的商品類型設(shè)備如標(biāo)準(zhǔn)模擬和通用的邏輯與成熟技術(shù)制造過(guò)程有較大的然后0.4µ特征尺寸。此外,高壓集成電路產(chǎn)品需要大型幾何過(guò)程的技術(shù)。
三星、英特爾、東芝/ SanDisk,SK海力士,微米持有的最大數(shù)量的前沿的能力。
最大的能力持有者在大型功能流程類別(> 0.2µ)由幾個(gè)模擬和混合信號(hào)芯片供應(yīng)商,包括圣微,臺(tái)積電、鈦和英飛凌。
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