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克里族揭示氮化鎵HEMTs s波段雷達

克里族引入了兩個新的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMTs)適合使用在2.9 - -3.5 ghz的s波段雷達放大器系統(tǒng),包括:天氣、空中交通控制、海洋、港口監(jiān)視和搜救雷達的應(yīng)用程序。

基于高功率密度50 v,0.4µm GaN對碳化硅(SiC)鑄造過程和性能評價在85°C,400 w和150 w CGHV35150 CGHV35400F表現(xiàn)出高效、高功率增益、寬的帶寬能力,和統(tǒng)一的高溫性能。

CGHV35150特性典型輸出功率150 w,13.5 db功率增益,和典型的排水效率50%。CGHV35400F特性典型輸出功率400 w,10.5 db功率增益,和典型的排水效率60%。

150 w和400 w s波段GaN HEMTs指定在85°C,< 0.3 db脈沖幅度下垂特性。

此外,兩個晶體管也腳印功能大大小于競爭砷化鎵(砷化鎵)或硅(Si)射頻技術(shù),使提高設(shè)計的靈活性。

400 w s波段GaN HEMTs提供陶瓷/金屬法蘭包和150 w設(shè)備可以提供在陶瓷/金屬法蘭或藥丸包。

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