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人員集成電路刻蝕到石墨烯
研究人員在加州大學(xué)圣芭芭拉介紹并模擬集成電路設(shè)計方案中,晶體管和互聯(lián)是單片圖案上的石墨烯。
該演示是聲稱要提供可能性節(jié)能、靈活和透明的電子產(chǎn)品。
根據(jù)大學(xué)、散裝材料通常用于制造CMOS晶體管和互聯(lián)構(gòu)成基本挑戰(zhàn)他們的特征尺寸不斷縮小,遭受增加他們之間的接觸電阻”,兩者都導(dǎo)致降解性能和增長的能源消耗。
石墨烯晶體管和互聯(lián)是一個有前途的納米技術(shù),有可能解決問題的傳統(tǒng)硅晶體管和金屬互聯(lián)。
“除了它的自動和質(zhì)樸的表面,石墨烯薄有可協(xié)調(diào)的帶隙,它可以調(diào)節(jié)的模式——狹窄石印草圖石墨烯帶可以在更廣泛的絲帶半導(dǎo)體金屬。因此,連續(xù)的石墨烯帶可以設(shè)想從相同的起始物料設(shè)計都主動和被動的設(shè)備在一個無縫的時尚和更低的接口/接觸電阻,Banerjee教授說Kaustav majumder電氣和計算機工程和研究實驗室的主任在UCSB納電子學(xué)。
巴納吉的研究團隊還包括UCSB研究者嘉豪康,Deblina Sarkar和哈塔米亞辛。他們的工作是最近發(fā)表在《應(yīng)用物理快報》。
“準(zhǔn)確評估電氣運輸通過各種石墨烯帶的連結(jié)和互聯(lián)的基礎(chǔ)設(shè)備,在其接口是我們成功的關(guān)鍵電路設(shè)計和優(yōu)化,”Kang稱,一個博士生在Banerjee集團和該研究的合作者。
Banerjee集團開創(chuàng)了一種方法使用非平衡格林函數(shù)(NEGF)技術(shù)性能的評價如此復(fù)雜的電路方案涉及許多異性戀的交叉點。這種方法被用于設(shè)計一個所有石墨烯邏輯電路本研究中報道。
在他們的研究報告,提出的所有石墨烯電路取得了1.7 x高噪聲的利潤和降低靜態(tài)功耗1 - 2幾十年在當(dāng)前的CMOS技術(shù)。據(jù)巴納吉,持續(xù)的全球努力在模式和摻雜的石墨烯,這些電路可以實現(xiàn)在不久的將來。
“我們希望,這項工作將鼓勵和激勵其他研究人員探索石墨烯和石墨烯以外新興二維晶體設(shè)計這樣的帶隙設(shè)計的電路在不久的將來,“巴納吉在一份聲明中說。
他們的研究是由美國國家科學(xué)基金會的支持。
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