震動開關(guān)臺積電減免FinFET外事局地面
倫敦——鑄造臺灣半導(dǎo)體制造有限公司已經(jīng)舉行了一次突破性的典禮外事局模塊在外事局14 gigafab在南臺灣科技園區(qū)在臺南,臺灣。這個階段六個模塊預(yù)計將臺積電的第一個工廠大規(guī)模生產(chǎn)16 nm FinFET電路在2014年。
建筑的第六階段模塊正在開始僅僅七個月后,臺積電(臺北,臺灣)動工5級。震動開關(guān)
構(gòu)建階段的工作六14 gigafab外事局不是由于開始直到2013年作為一個170億美元的產(chǎn)能擴張計劃在未來五年,據(jù)臺北時報報道。
“這家工廠將成為世界上第一個12英寸工廠生產(chǎn)20納米系統(tǒng)芯片和第一個16納米FinFET芯片制造網(wǎng)站臺積電,”該報告引述臺積電聯(lián)席首席運營官蔣介石商毅,說。
外事局14階段5和6預(yù)計大約兩倍的制造能力的第一個四個階段通過提供一個總潔凈室面積87000平方米,相當(dāng)于超過11個足球場和四倍比典型的300毫米晶圓廠。震動開關(guān)
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